כרטיסי זיכרון של יותר מ-10 טרה בייט
טכנולוגיה מהפכנית חדשה תאפשר את פיתוח הזיכרון הדחוס ביותר בעולם
אינטלומיקרון טקנולוגי חשפו טכנולוגיה מהפכנית, המאפשרת פיתוח של הזיכרון הדחוס בעולם, וייצור כרטיסי זיכרון של יותר מ-10 טרה-בייט. הטכנולוגיה עורמת תאי אחסון באופן אנכי כדי לייצר התקני אחסון עם קיבולת הגדולה פי 3 לעומת טכנולוגיותNANDמתחרות. היא עורמת אנכית תאי פלאש ב-32 שכבות, כדי להשיג תא רב שכבתי של 256 ג'יגה-בייט ותבנית תא תלת-שכבתי (TLC) של 384 ג'יגה, שיתאימו למחשב.
קיבולות אלו מאפשרות לייצר כרטיסי זיכרון בגודל של מסטיק לערך, ונפח אחסון של יותר מ-3.5 טרה-בייט וכרטיסי זיכרון של 2.5 אינץ' עם קיבולת של יותר מ-10 טרה-בייט. התקן אחסון בנפח 0.75 טרה-בייט יוכל להיכנס למארז שגודלו כקצה האצבע. מאחר שהקיבולת מושגת על-ידי הערמת התאים באופן אנכי, מידותיו של התא הבודד יכולות להיות גדולות יותר באופן ניכר. הסידור צפוי לשפר את הביצועים ואת הסיבולת של המחשב.
אבן דרך משמעותית בהתפתחות השוק
הטכנולוגיה הקודמת, מתקרבת למגבלת ההתרחבות המעשית והדבר מציב אתגרים משמעותיים בפני תעשיית הזיכרונות. הטכנולוגיה החדשה היא בבחינת אבן דרך משמעותית בהתפתחות השוק.
הכתבה הכי נקראת היום באתר: מזעזע - ככה נראה עובר שאמו מעשנת
אחד ההיבטים המשמעותיים של הטכנולוגיה החדשה טמון בתא הזיכרון הבסיסי עצמו: אינטל ומיקרון בחרו להשתמש בתא צף - תקן אוניברסלי שעבר ליטושים במשך שנים של ייצור כמויות גדולות של זיכרונות. זהו השימוש הראשון בתא שער צף ב-NAND 3D. עלות מופחתת לג'יגה-בייט: הדור הראשון שלNAND 3Dנבנה כך שיפעל באופן חסכוני יותר מאשרNANDמישורי.
גרסת ה-256 ג'יגה-בייט שלNAND 3Dנמצאת כעת בבדיקה אצל שותפים נבחרים ודגם ה-384 ג'יגה-בייטTLCייבחן בשלב מאוחר יותר. קו הייצור כבר החל בהרצות ראשוניות ושני ההתקנים יגיע להיקף ייצור מלא עד לרבעון הרביעי של השנה. שתי החברות מפתחות גם קווים של פתרונותSSDהמבוססים על טכנולוגייתNAND 3Dומצפים להשיק את המוצרים בשנה הבאה.